浪涌測試原理
測試波形介紹
耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇
測試波形介紹
1. 2/50uS(8/20uS) 組合波介紹：
開路電壓波形參數(shù)（1. 2/50uS）：

短路電流波形參數(shù)(8/20uS) ：

 10/700uS(5/320uS) 波形介紹：
1、開路電壓波形為10/700uS；

2、短路電流波形參數(shù)(5/320uS) ：

• 浪涌測試波形的應(yīng)用場景（對于CE認(rèn)證）
1、電源端口采用1. 2/50uS（8/20uS） 組合波；
2、網(wǎng)口采用10/700uS(5/320uS) 組合波進(jìn)行試驗；
3、試驗前需對電纜類型、 是否存在電源供電、 是否屏蔽等進(jìn)行說明； (以便選擇耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)CDN) ；
耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇
• 耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇
1、 對于交直流電源線端口
用于交/直流電源線的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
電壓和電流的波前時間和半峰值時間應(yīng)分別在開路情況下和短路情況下，在耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的EUT端口驗證。30%的下沖僅適用于發(fā)生器的輸出端。在耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的輸出端，對下沖或過沖沒有限制。發(fā)生器的輸出或其耦合網(wǎng)絡(luò)應(yīng)與有足夠帶寬和電壓量程的測量系統(tǒng)連接，以便監(jiān)視開路電壓波形。
對于線-線耦合，浪涌應(yīng)通過18μF電容耦合，如圖7和圖9所示。

對于線-地耦合，浪涌應(yīng)通過9μF電容串聯(lián)10Ω電阻耦合，如圖8和圖10所示。
交/直流電源端口電容耦合試驗配置（差模）

交/直流電源端口電容耦合試驗配置（共模）

浪涌防護(hù)元器件使用
浪涌防護(hù)原理
1、 泄放；（典型應(yīng)用端口：電源口）
2、 隔離；（典型應(yīng)用端口：網(wǎng)口）
浪涌保護(hù)器的型號、 原理介紹
1、 氣體放電管(GDT) 的參數(shù)與應(yīng)用

1. 1主要技術(shù)參數(shù)
 a、 直流放電電壓
在上升陡度低于100V/s的電壓作用下， 放電管開始放電的平均電壓值稱為其直流放電電壓。 由于放電的分散性， 所以， 直流放電電壓是一個數(shù)值范圍。 選擇時應(yīng)大于電路工作電壓120%；
 b、沖擊放電電壓
在具有規(guī)定上升陡度的暫態(tài)電壓脈沖作用下，放電管開始放電的電壓值稱為其沖擊放電電壓。放電管的響應(yīng)時間或動作時延與電壓脈沖的上升陡度有關(guān)， 對于不同的上升陡度， 放電管的沖擊放電電壓是不同的 。
 C、沖擊耐受電流
將放電管通過規(guī)定波形和規(guī)定次數(shù)的脈沖電流， 使其直流放電電壓和絕緣電阻不會發(fā)生明顯變化的最大值電流峰值稱為管子的沖擊耐受電流。
d、 其他參數(shù)
1. 2 氣體放電管的優(yōu)缺點及其應(yīng)用
a 、優(yōu)點：
極間絕緣電阻大
極間電容小
 泄放暫態(tài)過電流能力強(qiáng)
b 、缺點：
時延—導(dǎo)致殘壓大
 續(xù)流—導(dǎo)致無法直接應(yīng)用于大部分電壓端口
 C 、應(yīng)用：
用于浪涌防護(hù)最前級；
單獨用于共模防護(hù)；
 與其他防護(hù)器件串聯(lián)應(yīng)用；
2、壓敏電阻(MOV) 的參數(shù)與應(yīng)用
2. 1 壓敏電阻的主要參數(shù)
a 、標(biāo)稱壓敏電壓(V) ：
通過規(guī)定持續(xù)時間的脈沖電流（一般為1mA 持續(xù)時間一般小于400mS） 時壓敏電阻器兩端的電壓值
b 、殘壓
在壓敏電阻能承受的最大脈沖峰值電流Ip及規(guī)定波形下壓敏電阻兩端電壓峰值。
 c 、殘壓比
殘壓比則是殘壓與標(biāo)稱電壓之比。 （一般約為1. 8~2. 2）
d 、通流容量
通流容量也稱通流量， 是指在規(guī)定的條件（規(guī)定的時間間隔和次數(shù)， 施加標(biāo)準(zhǔn)的沖擊電流）下， 允許通過壓敏電阻器上的最大脈沖（峰值）電流值。
其他
1. 2 壓敏電阻的優(yōu)缺點及其應(yīng)用
a 、優(yōu)點：
通流容量大
動作響應(yīng)快
無續(xù)流
 b 、缺點
極間電容大
TVS大家都有用過， TSS較GDT克服了動作時間慢的
浪涌防護(hù)器件小結(jié)
1、 GDT、 TSS同為開關(guān)型器件， 均存在續(xù)流問題；
2、 MOV、 TVS同為鉗位型器件， 客服了續(xù)流問題， 但通流量較開關(guān)型器件要小；
3、 GDT動作時間為uS級， MOV動作時間為nS級均較慢；TSS、 TVS客服了動作時間， 為nS級器件；
4、 MOV（使用次數(shù)限制） 的失效模式以短路為主，
所以在應(yīng)用回流中需加入短路保護(hù)型器件；
5、 以上浪涌保護(hù)器件均為過壓型保護(hù)器件， 過流型
浪涌防護(hù)設(shè)計介紹
• 浪涌防護(hù)設(shè)計介紹
1、 “標(biāo)準(zhǔn)" 資料， GBT 17626. 5， ITU K系列建議，主要對波形參數(shù)、 內(nèi)阻、 耦合方式進(jìn)行了解；
2、 “測試" 技術(shù)了解， 主要對差、 共模， 正、 負(fù)極性等情況下的“回流路徑" 進(jìn)行了解；
3、 根據(jù)不同的試驗等級， 結(jié)合實際電路進(jìn)行浪涌防護(hù)方式（泄放或隔離或結(jié)合） 、 元器件等的選擇；
4、 根據(jù)浪涌進(jìn)入PCB區(qū)域電壓高低、 電流大小、 所通過的路徑進(jìn)合理的間距、 線寬、 PCB布局、 布線設(shè)計；

推薦型號：

雷擊/浪涌發(fā)生器

CWG 520: 3x400V / 16A

CWG 1500: 1.2/50 μs_8/20μs / 4.4kV

CWG 2500: 1.2/50 μs_8/20μs / 4.4kV / 觸摸屏

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